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安森美 NTHL015N065SC1 碳化硅 (SiC) MOSFET的介紹、特性、及應用
安森美onsemi NTHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET是一款12mohm、650V MOSFET，采用TO-247-3L封裝。該碳化硅MOSFET的設計快速而堅固耐用。該器件具有10倍介電擊穿場強度和2倍電子飽和速度。這些MOSFET還具有3倍能量帶間隙和3倍導熱性。所有安森美碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能的選項，專門設計用于汽車應用并符合其相關要求。
NTHL015N065SC1 特性
典型值 RDS(on) = 12m（VGS = 18V時）
典型值 RDS(on) = 15m（VGS = 15V時）
超低柵極電荷 (QG(tot) = 283nC)
高速開關，低電容 (Coss = 430pF)
100%經雪崩測試
該器件不含鹵素，符合RoHS指令（7a豁免），無鉛2LI（二級互連）
NTHL015N065SC1 應用
開關模式電源 (SMPS)
太陽能逆變器
不間斷電源 (UPS)
儲能
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