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ROHM羅姆公司開發(fā)出600V耐壓Super Junction MOSFET

來源:ROHM羅姆官網(wǎng)| 發(fā)布日期:2023-12-07 17:19

產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開關(guān)和超短反向恢復(fù)時間特點的5款新產(chǎn)品

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”,新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應(yīng)用。

近年來,隨著照明用的小型電源和電泵用電機的性能提升,對于在這些應(yīng)用中發(fā)揮開關(guān)作用的MOSFET的更小型產(chǎn)品需求高漲。通常,對于Super Junction MOSFET而言,在保持高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性理想平衡的同時,很難進一步縮小體積。此次,ROHM通過改進內(nèi)置芯片的形狀,在不犧牲以往產(chǎn)品性能的前提下開發(fā)出5款更小更薄的SOT-223-3封裝新產(chǎn)品。

與以往TO-252封裝(6.60mm×10.00mm×2.30mm)的產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品的面積減少約31%,厚度減少約27%,有助于實現(xiàn)更小、更薄的應(yīng)用產(chǎn)品。另外,新產(chǎn)品還支持TO-252封裝電路板上的布線圖案(焊盤圖案),因此也可以直接使用現(xiàn)有的電路板。

五款新產(chǎn)品分別適用于小型電源和電機應(yīng)用,各有不同的特點。適用于小型電源的有3款型號,“R6004END4”具有低噪聲的特點,適用于需要采取降噪措施的應(yīng)用;“R6003KND4”和“R6006KND4”具有高速開關(guān)的特點,適用于需要低損耗且高效率工作的應(yīng)用;“R6002JND4”和“R6003JND4”采用ROHM自有技術(shù)加快了反向恢復(fù)時間(trr*2)并大大降低了開關(guān)損耗,屬于“PrestoMOS”產(chǎn)品,非常適用于電機應(yīng)用。

此外,為了加快這些產(chǎn)品的應(yīng)用,在ROHM官網(wǎng)上還免費提供電路設(shè)計所需的應(yīng)用指南和各種技術(shù)資料,以及仿真用的SPICE模型等資源。

新產(chǎn)品已于2023年11月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格400日元/個,不含稅)。另外,新產(chǎn)品也已開始電商銷售,從Ameya360、Sekorm、Oneyac、Right IC等電商平臺均可購買。

今后,ROHM將繼續(xù)開發(fā)不同封裝和低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品,不斷擴大Super Junction MOSFET的產(chǎn)品陣容,通過助力各種設(shè)備降低功耗,來為解決環(huán)境保護等社會課題做出貢獻。

小型電源用

電機用

<應(yīng)用示例>

?R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4:照明、空調(diào)、冰箱等

?R6002JND4 / R6003JND4:電泵、風(fēng)扇、復(fù)印機等使用的電機

<Super Junction MOSFET特設(shè)頁面>

ROHM的官網(wǎng)上提供與SOT-223-3封裝相關(guān)的應(yīng)用指南以及各種電路設(shè)計所需的資料。

https://www.rohm.com.cn/support/super-junction-mosfet

<什么是PrestoMOS>

Presto意為“非??臁保从谝獯罄Z的音樂術(shù)語。

PrestoMOS是ROHM自有的功率MOSFET品牌,該品牌的MOSFET產(chǎn)品不僅保持了Super Junction MOSFET高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點,還縮短了內(nèi)置二極管的反向恢復(fù)時間。因其可降低開關(guān)損耗而越來越多地被用于空調(diào)和冰箱等配備逆變電路的應(yīng)用。

<術(shù)語解說>

*1) Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET是晶體管的一種,根據(jù)器件結(jié)構(gòu)上的不同又可細分為Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類的產(chǎn)品。與Planar MOSFET相比,Super Junction MOSFET能夠同時實現(xiàn)高耐壓和低導(dǎo)通電阻,在處理大功率時損耗更小。

*2) trr:反向恢復(fù)時間(Reverse Recovery Time)

內(nèi)置的二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時間。該值越低,開關(guān)時的損耗越小。


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