近日，美光科技宣布已開始送樣其首款8-high 24GB HBM3 Gen2內存產品，帶寬大于1.2TB/s，引腳速度超過9.2Gb/s，比目前推出的HBM3解決方案提高50%，其每瓦性能比前幾代產品提高了2.5倍。

據介紹，美光科技HBM解決方案采用1β(1-beta)DRAM工藝節點，該節點允許將24Gb DRAM芯片組裝到行業標準封裝尺寸內的8-high立方體中。此外，美光12層堆疊的36GB 容量產品也將于2024年第一季度開始出樣。與現有的競爭解決方案相比，美光科技在給定堆棧高度下提供的容量增加了50%。美光第二代HBM3產品的性能功耗比和引腳速度的提升對于管理當今AI數據中心的極端功耗需求至關重要。美光通過技術革新實現了能效的顯著提升，例如與業界其他HBM3解決方案相比，美光將硅通孔（TSV）數量翻倍，增加5倍金屬密度以降低熱阻，以及設計更為節能的數據通路。

美光科技表示，作為HBM3 Gen2產品開發工作的一部分，美光科技與臺積電之間的合作為AI和HPC設計應用的計算系統的順利引入和集成奠定了基礎。臺積電已收到美光科技HBM3 Gen2內存樣品，并正在與美光科技密切合作進行進一步評估和測試，助力客戶的下一代高性能計算應用創新。

美光副總裁暨計算與網絡事業部計算產品事業群總經理 Praveen Vaidyanathan表示：“美光第二代HBM3解決方案旨在為客戶及業界提供卓越的人工智能和高性能計算解決方案。我們的一個重要考量標準是，該產品在客戶平臺上是否易于集成。美光HBM3具有完全可編程的內存內建自測試（MBIST）功能，可在完整規格的引腳速度下運行，使美光能為客戶提供更強大的測試能力，實現高效協作，助力客戶縮短產品上市時間。”

此前，美光科技推出基于1α(1-alpha)24Gb單片DRAM芯片的96GB DDR5模塊，用于容量需求大的服務器解決方案，此次推出的是基于1β 24Gb芯片的24GB HBM3產品。美光科技計劃，在2024年上半年推出基于1β 32Gb單片DRAM芯片的128GB DDR5模塊。